概述
射頻導納式物位控制器利用高頻技術,由電子線路產生一個小功率射頻信號于探頭上,探頭作為敏感元件，將來自物位介電常數引起的信號變化反饋給電子線路；由于這些變化包括電容量和電導量的變化,因而電子線路處理的是容抗和阻抗的綜合變化信號;進行處理后改變繼電器的輸出狀態。它是在原電容測量的基礎上改進為射頻導納測量技術，代表了當今物位測量的新水平。
技術參數
探頭長度：≦4.2m,纜式≦35m
測量原理：阻抗、容抗綜合測量，射頻導納技術
輸出形式：HSN-K型，控制器開關信號
HSN-M型，變送器，4～20mA
HSN-MZ智能型，4～20mA /帶HART協議
工作壓力：≦6.3Mpa
介質溫度：≦800℃
防爆等級：Exd II BT4,Exia II CT5
防護等級：IP66
材質：各種牌號不銹鋼，聚四氟乙烯
連接方式：NPT螺紋：3/4″、1-1/2″、1-1/4″、法蘭DN40
安裝方式：頂裝、側裝
